新しいE

Microchip Technology は最近、炭化ケイ素 (SiC) テクノロジーによって実現された E-Fuse デモンストレーター ボードを発表しました。このボードは、400 ～ 800 V バッテリー システム用に 6 つのバリエーションがあり、最大 30 アンペアの電流定格で利用できます。

E-Fuse デモンストレーターは、高電圧ソリッドステート設計により、従来の機械的アプローチよりも 100 ～ 500 倍速く、マイクロ秒単位で障害電流を検出して遮断できます。 応答時間が速いため、ピーク短絡電流が数十キロアンペアから数百アンペアに大幅に減少し、ハード障害を引き起こす障害イベントを防ぐことができます。

「E-Fuse デモンストレーターは、BEV/HEV OEM 設計者に、パワー エレクトロニクスを保護するためのより高速で信頼性の高い方法で開発プロセスを活性化するための SiC ベースの技術ソリューションを提供します。」と Microchip のシリコンカーバイド ビジネス ユニットの副社長、Clayton Pillion 氏は述べています。 「E-Fuse ソリッドステート設計は、機械的衝撃、アーク放電、接触バウンスによる劣化がないため、電気機械デバイスに関する長期的な信頼性の懸念も軽減します。」

E-Fuse デモンストレーターのリセット可能な機能を使用すると、設計者は保守性を重視した設計の制約に悩まされることなく、車両に E-Fuse を簡単にパッケージ化できます。 これにより、設計の複雑さが軽減され、柔軟な車両パッケージングが可能になり、BEV/HEV の電力システム分配が改善されます。

OEM は、ローカル インターコネクト ネットワーク (LIN) 通信インターフェイスが組み込まれているため、E-Fuse デモンストレーターを使用して SiC ベースの補助アプリケーションの開発を加速できます。 LIN インターフェイスを使用すると、ハードウェア コンポーネントを変更することなく過電流トリップ特性を設定でき、診断ステータスも報告します。

E-Fuse デモンストレーターは、Microchip の SiC MOSFET テクノロジーと、LIN ベースのインターフェイスを備えた PIC® マイクロコントローラーのコア独立ペリフェラル (CIP) の比類のない堅牢性とパフォーマンスを活用しています。 コンパニオンコンポーネントは自動車認定を受けており、ディスクリート設計よりも部品点数が少なく、信頼性が高くなります。

Microchip の SiC 電源ソリューションは、ベア ダイ、ディスクリート、モジュール、カスタマイズ可能な電源モジュールの MOSFET、ダイオード、ゲート ドライバの業界で最も広範かつ柔軟なポートフォリオを提供します。